SI2392DS-T1-GE3,SI2392DS-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI2392DST1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| SI2392DS-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 100V 126mOhm@10V 3.1A N-Ch MV T-FET RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23 详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 3.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23 型号：SI2392DS-T1-GE3 仓库库存编号：SI2392DS-T1-GE3CT-ND 别名：SI2392DS-T1-GE3CT | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI2392DS |
|---|---|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 2.2A （Ta）， 3.1A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 126 毫歐 @ 2A， 10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 10.4nC @ 10V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 196pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-23 |
| 其它名稱 | SI2392DS-T1-GE3TR |
