SI2365EDS-T1-GE3,SI2365EDS-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI2365EDST1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI2365EDS |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT-23-3 |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 4.5A （Ta）， 5.9A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 32 毫歐 @ 4A， 4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 36nC @ 8V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 1.7W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商器件封裝 | TO-236 |
| 其它名稱 | SI2365EDS-T1-GE3TR SI2365EDST1GE3 |
