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SI2301CDS-T1-GE,SI2301CDS-T1-GE|Vishay代理分銷(xiāo)-SI2301CDST1GE原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

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MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

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MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

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MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SI2301CDS-T1-GE3)

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R - Cut Tape Product (Alt: SI2301CDS-T1-GE3)

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2301CDS-T1-GE3)

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R - Tape and Reel (Alt: SI2301CDS-T1-GE3)

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.1A TO-236, FUL

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MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, SOT23

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MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, SOT23

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P CHANNEL MOSFET, -20V, 3.1A TO-236

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P-CH MOSFET SOT-23 20V 112MOHM @ 4.5V - LEAD(PB) AND HALOGEN FREE

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P-CH MOSFET SOT-23 20V 112MOHM @ 4.5V - LEAD(PB) AND HALOGEN FREE

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SI2301CDS-T1-GE3
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TRANSITOR, IRFR420TRPBF

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SI2301CDS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor, 2.3 A, 20 V, 3-Pin SOT-23

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MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

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MOSFET 20V 3.1A 1.6W 112 mohms @ 4.5V

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SI2301BDS-T1-E3
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MOSFET 20V 2.0A 0.9W

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Transistor: P-MOSFET, unipolar, -20V, -1.8A, 1.6W, SOT23

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SI2301CDS-T1-GE3
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3100MA, 20V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236

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3100MA, 20V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236

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3100MA, 20V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236

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Vishay - SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay Si P沟道 MOSFET SI2301CDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
SI2301CDS-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
919-0250
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Vishay - SI2301CDS-T1-GE3 - Vishay Si P沟道 MOSFET SI2301CDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
制造商零件编号：
SI2301CDS-T1-GE3
品牌：
Vishay
库存编号：
710-3238
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Vishay Siliconix - SI2301CDS-T1-GE3 - MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3		Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 860mW（Ta），1.6W（Tc） SOT-23-3（TO-236）

型号：SI2301CDS-T1-GE3
仓库库存编号：SI2301CDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2301CDS-T1-GE3CT
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制造商产品编号 仓库库存编号 制造商 / 说明 / 规格书 操作
SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY SI2301CDS-T1-GE3		1779260

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -400 mV

 (EN)		搜索
SI2301CDS-T1-GE3.
VISHAY SI2301CDS-T1-GE3.		1690262

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道

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SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY SI2301CDS-T1-GE3		2371823

VISHAY

场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 3.1A TO-236, 整卷

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SI2301CDS-T1-GE3
VISHAY SI2301CDS-T1-GE3		1779260RL

VISHAY

晶体管, MOSFET, P沟道, -3.1 A, -20 V, 90 mohm, -4.5 V, -400 mV

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無(wú)圖
聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！
SI2301CDS-T1-GE
制造商型號(hào)： SI2301CDS-T1-GE
制造商： Vishay
描述： MOSFET，P溝道，20V，2.3A，SOT23
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢(xún)
庫(kù)存狀態(tài)： 實(shí)時(shí)庫(kù)存查詢(xún)  所在地：深圳原厂原裝現(xiàn)貨
備注： 代理銷(xiāo)售世界各大品牌電子元器件，大量原厂原裝正品現(xiàn)貨
訂購(gòu)熱線： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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產(chǎn)品信息
典型關(guān)斷延遲時(shí)間30 ns
典型接通延遲時(shí)間11 ns
典型柵極電荷@Vgs3.3 nC V @ 2.5, 5.5 nC V @ 4.5
典型輸入電容值@Vds405 pF V @ 10
安裝類(lèi)型表面貼裝
寬度1.4mm
封裝類(lèi)型SOT-23，TO-236
尺寸3.04 x 1.4 x 1.02mm
引腳數(shù)目3
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散860 mW
最大柵源電壓±8 V
最大漏源電壓20 V
最大漏源電阻值0.112 Ω
最大連續(xù)漏極電流2.3 A
最高工作溫度+150 °C
每片芯片元件數(shù)目1
類(lèi)別功率 MOSFET
通道模式增強(qiáng)
通道類(lèi)型P
配置單
長(zhǎng)度3.04mm
高度1.02mm

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：SI2301CDS-T1-GE
旗下站點(diǎn)www.szcwdz.cn相關(guān)詳細(xì)信息: SI2301CDS-T1-GE
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  • *所需產(chǎn)品：
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