SI1431DH-T1-E3,SI1431DH-T1-E3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI1431DHT1E3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| SI1431DH-T1-E3 [更多] | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| SI1431DH-T1-E3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 2.0A 1.45W 200 mohms @ 10V RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363 详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Ta） 950mW（Ta） SC-70-6（SOT-363） 型号：SI1431DH-T1-E3 仓库库存编号：SI1431DH-T1-E3-ND | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI1431DH |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT-363 PKG |
| 標(biāo)準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 1.7A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 200 毫歐 @ 2A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 100µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 950mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | SC-70-6 |
