SI1304BDL-T1-GE3,SI1304BDL-T1-GE3|VISHAY SILICONIX代理分銷-SI1304BDLT1GE3原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| SI1308EDL-T1-GE3 [更多] | Vishay Intertechnologies | MOSFET 30V 1.5A RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3 详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 900mA（Tc） 340mW（Ta），370mW（Tc） SC-70-3 型号：SI1304BDL-T1-GE3 仓库库存编号：SI1304BDL-T1-GE3CT-ND 别名：SI1304BDL-T1-GE3CT | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | SI1304BDL |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | Pkg 5549 |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 900mA （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 270 毫歐 @ 900mA，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 2.7nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 100pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 370mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | SC-70，SOT-323 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | SC-70-3 |
| 其它名稱 | SI1304BDL-T1-GE3TR SI1304BDLT1GE3 |
