數(shù)據(jù)列表 | RZF020P01 |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動 |
漏源極電壓 (Vdss) | 12V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 2A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 105 毫歐 @ 2A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 770pF @ 6V |
功率 - 最大值 | 800mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 3-SMD,扁平引線 |
供應(yīng)商器件封裝 | TUMT3 |
其它名稱 | RZF020P01TL-ND RZF020P01TLTR |