RW1A020ZPT2R,RW1A020ZPT2R|Rohm Semiconductor代理分銷-RW1A020ZPT2R原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | RW1A020ZP |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | WEMT6 Series |
| 標準包裝 | 8,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平柵極，1.5V 驅(qū)動 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 12V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 2A |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 105 毫歐 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 6.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 700mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | SOT-563，SOT-666 |
| 供應商器件封裝 | 6-WEMT |
| 其它名稱 | RW1A020ZPT2R-ND RW1A020ZPT2RTR |
