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場效應(yīng)管 MOSFET N 30V 3.5A
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晶體管極性:
N溝道
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電流, Id 連續(xù):
3.5A
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漏源電壓, Vds:
30V
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在電阻RDS（上）:
62mohm
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電壓 @ Rds測量:
10V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
2.5V
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功耗, Pd:
1.25W
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封裝類型:
TSMT
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針腳數(shù):
6
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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上升時間:
9ns
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下降時間:
6ns
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封裝/箱盒:
TSMT6
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晶體管類型:
被保護(hù)的MOSFET
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電壓 Vgs @ Rds on 測量:
10V
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電壓, Vds 典型值:
30V
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電容值, Ciss 典型值:
290pF
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電流, Idm 脈沖:
14A
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表面安裝器件:
SMD
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通態(tài)電阻 @ Vgs = 10V:
62mohm
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通態(tài)電阻 @ Vgs = 4.5V:
84mohm
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針腳配置:
D(1+2+5+6), G(3), S(4)
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閾值電壓, Vgs th 最低:
1V
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閾值電壓, Vgs th 最高:
2.5V
產(chǎn)地：
KR
Korea (Republic of)
手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：
RSQ035N03TR
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