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場效應(yīng)管 MOSFET P 30V 3A
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晶體管極性:
P溝道
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電流, Id 連續(xù):
3A
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漏源電壓, Vds:
30V
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在電阻RDS（上）:
90mohm
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電壓 @ Rds測量:
-10V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
-2.5V
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功耗, Pd:
1.25W
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封裝類型:
TSMT
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針腳數(shù):
6
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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封裝/箱盒:
TSMT6
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晶體管類型:
增強
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電壓 Vgs @ Rds on 測量:
4V
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電壓, Vds 典型值:
-30V
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電流, Idm 脈沖:
12A
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表面安裝器件:
SMD
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閾值電壓, Vgs th 最低:
-1V
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閾值電壓, Vgs th 最高:
-2.5V
產(chǎn)地：
KR
Korea (Republic of)
手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：
RSQ030P03TR
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