RSQ015P10TR,RSQ015P10TR|Rohm Semiconductor代理分銷-RSQ015P10TR原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | RSQ015P10 |
|---|---|
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 1.5A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 470 毫歐 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17nC @ 5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 950pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.25W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TSMT6 |
