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聲明：圖片僅供參考，請(qǐng)以實(shí)物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

	典型關(guān)斷延遲時(shí)間	80 ns
	典型接通延遲時(shí)間	20 ns
	典型柵極電荷@Vgs	41 nC V @ 4.5
	典型輸入電容值@Vds	6040 pF V @ 10
	安裝類(lèi)型	表面貼裝
	寬度	3.95mm
	封裝類(lèi)型	PTZZ0005DA-A
	尺寸	4.9 x 3.95 x 1.1mm
	引腳數(shù)目	5
	最大功率耗散	65 W
	最大柵源電壓	±20 V
	最大漏源電壓	40 V
	最大漏源電阻值	3.2 mΩ
	最大連續(xù)漏極電流	55 A
	最高工作溫度	+150 °C
	每片芯片元件數(shù)目	1
	類(lèi)別	功率 MOSFET
	通道模式	增強(qiáng)
	通道類(lèi)型	N
	配置	三源
	長(zhǎng)度	4.9mm
	高度	1.1mm

手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：RJK0453DPB-00#J
旗下站點(diǎn)www.szcwdz.cn相關(guān)詳細(xì)信息: RJK0453DPB-00#J
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詢價(jià)

業(yè)務(wù)受理時(shí)間：周一至周五（上午9:00～下午18:00），下午17:00之前的訂單當(dāng)日發(fā)貨，17:00之后的訂單次日發(fā)貨（周日、節(jié)假日順延），推薦合作貨運(yùn)物流：順豐快遞�？爝f費(fèi)用：23元。

• *所需產(chǎn)品：
• 型號(hào): RJK0453DPB-00#J 品牌: Renesas Electronics 備注: MOSFET，N溝道，40V，55A，LFPAK8

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

類(lèi)似產(chǎn)品