數(shù)據(jù)列表 | RJK03E2DNS |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 5,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 16A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 9 毫歐 @ 8A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | - |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 7.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1540pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 12.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-WDFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-HWSON(3.3x3.3) |
其它名稱 | RJK03E2DNS-00#J5-ND RJK03E2DNS-00#J5TR |