典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 33.9 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 7.3 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 6.2 nC V @ 4.5 | |
典型輸入電容值@Vds | 810 pF V @ 10 | |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 5.1mm | |
封裝類(lèi)型 | WPAK-D2 | |
尺寸 | 6.1 x 5.1 x 0.8mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最大功率耗散 | 10(晶體管 1)W,25(晶體管 2)W | |
最大柵源電壓 | ±20(晶體管 1)V,±20(晶體管 2)V | |
最大漏源電壓 | 25(晶體管 1)V,25(晶體管 2)V | |
最大漏源電阻值 | 13.7 mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 15(晶體管 1)A,40(晶體管 2)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類(lèi)別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類(lèi)型 | N | |
配置 | 三漏極、三源 | |
長(zhǎng)度 | 6.1mm | |
高度 | 0.8mm |