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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準！

產品信息

• 場效應管 MOSFET P VGS -2.5V
• 晶體管極性: P溝道
• 電流, Id 連續(xù): 1.5A
• 漏源電壓, Vds: 20V
• 在電阻RDS（上）: 430mohm
• 電壓 @ Rds測量: -4.5V
• 閾值電壓, Vgs th 典型值: -2V
• 功耗, Pd: 900mW
• 封裝類型: TSMT
• 針腳數: 6
• SVHC(高度關注物質): No SVHC (19-Dec-2012)
• 上升時間: 12ns
• 下降時間: 20ns
• 封裝/箱盒: TSMT6
• 晶體管類型: 被保護的MOSFET
• 電壓 Vgs @ Rds on 測量: 2.5V
• 電壓, Vds 典型值: -20V
• 電容值, Ciss 典型值: 270pF
• 電流, Idm 脈沖: 6A
• 表面安裝器件: SMD
• 針腳配置: 1(G),2(S),3(A),4(K),5(D)
• 閾值電壓, Vgs th 最低: -0.7V
• 閾值電壓, Vgs th 最高: -2V

產地： KR Korea (Republic of)

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