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PTFA181001GLV1
- 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC - PTFA181001GLV1
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PTFA181001GLV1
制造商型號(hào):
PTFA181001GLV1
制造商:
Infineon Technologies
描述:
射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC
技術(shù)參考:
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庫(kù)存狀態(tài):
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所在地:
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產(chǎn)品信息
制造商:
Infineon
產(chǎn)品種類(lèi):
射頻MOSFET電源晶體管
RoHS:
符合
配置:
Single
晶體管極性:
N-Channel
頻率:
1.8 GHz to 1.88 GHz
增益:
16.5 dB
輸出功率:
100 W
汲極/源極擊穿電壓:
65 V
漏極連續(xù)電流:
750 mA
閘/源擊穿電壓:
12 V
最大工作溫度:
+ 150 C
封裝 / 箱體:
PG-36248-2
封裝:
Tray
安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
功率耗散:
407 W
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*所需產(chǎn)品:
型號(hào): PTFA181001GLV1 品牌: Infineon Technologies 備注: 射頻MOSFET電源晶體管 RFP-LD EPOC
*聯(lián)系人:
*聯(lián)系電話:
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備注內(nèi)容:
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