數據列表 | PMV185XN |
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標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 1.1A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 250 毫歐 @ 1.1A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 1.3nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 76pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 325mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應商器件封裝 | TO-236AB |