數據列表 | PHD,PHU77NQ03T |
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產品相片 | DPAK_369D?01 |
標準包裝 | 75 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 75A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 9.5 毫歐 @ 25A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3.2V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 17.1nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 860pF @ 12V |
功率 - 最大值 | 107W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB |
供應商器件封裝 | I-Pak |
其它名稱 | 934060504127 PHU77NQ03T PHU77NQ03T-ND |