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場效應(yīng)管 MOSFET N 每卷4K
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晶體管極性:
N溝道
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電流, Id 連續(xù):
7.5A
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漏源電壓, Vds:
55V
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在電阻RDS（上）:
80mohm
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電壓 @ Rds測量:
5V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
1.5V
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功耗, Pd:
8.3W
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工作溫度最小值:
-55°C
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工作溫度最高值:
150°C
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封裝類型:
SOT-223
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針腳數(shù):
3
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
1.8W
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封裝/箱盒:
SOT-223
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工作溫度范圍:
-55°C 至 +150°C
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總功率, Ptot:
1.8W
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晶體管數(shù):
1
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每卷數(shù)量:
4000
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溫度 @ 電流測量:
25°C
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漏極電流, Id 最大值:
7.5A
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電壓 Vgs @ Rds on 測量:
5V
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電壓, Vds 典型值:
55V
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電壓, Vgs 最高:
13V
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電流, Idm 脈沖:
40A
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表面安裝器件:
SMD
產(chǎn)地：
GB
United Kingdom
手機(jī)網(wǎng)站相關(guān)詳細(xì)信息：
PHT8N06LT.135
旗下站點(diǎn)
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PHT8N06LT.135旗下站點(diǎn)
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