數(shù)據(jù)列表 | PHD36N03LT |
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產品相片 | TO-263 |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | TrenchMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 43.4A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 17 毫歐 @ 25A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 18.5nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 690pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 57.6W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應商器件封裝 | DPAK |
其它名稱 | 934057949118 PHD36N03LT /T3 PHD36N03LT /T3-ND |