PHD101NQ03LT,118,PHD101NQ03LT,118|NXP Semiconductors代理分銷-PHD101NQ03LT118原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | PHD101NQ03LT |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | DPAK SOT428 |
| 標準包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchMOS™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 75A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 5.5 毫歐 @ 25A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 23nC @ 5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2180pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 166W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | DPAK |
| 其它名稱 | 934057029118 PHD101NQ03LT /T3 PHD101NQ03LT /T3-ND |
