典型柵極電荷@Vgs | 2.137 nC @ 10 V(P 溝道),6.24 nC @ 10 V(N 溝道) | |
典型輸入電容值@Vds | 102 pF @ 50 V(N 溝道),45 pF @ 50 V(P 溝道) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 4mm | |
封裝類型 | SO | |
尺寸 | 5 x 4 x 1.45mm | |
引腳數(shù)目 | 8 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 1.8 W | |
最大柵源電壓 | 20 V | |
最大漏源電壓 | 300 V | |
最大漏源電阻值 | 17(P 溝道)Ω,6(N 溝道)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 0.235(P 溝道)A,0.34(N 溝道)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙、雙漏極 | |
長度 | 5mm | |
高度 | 1.45mm |