數(shù)據(jù)列表 | PHP20N06T,PHB20N06T |
---|---|
產(chǎn)品相片 | TO-263 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 800 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | TrenchMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 20.3A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 75 毫歐 @ 10A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 11nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 483pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 62W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
其它名稱 | 568-5938-2 934056615118 PHB20N06T /T3 PHB20N06T /T3-ND PHB20N06T,118-ND PHB20N06T118 |