數(shù)據(jù)列表 | PH5525L |
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產(chǎn)品相片 | 568-LFPAK-4,SOT669 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | TrenchMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 81.7A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 5.5 毫歐 @ 25A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.15V @ 1mA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 16.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 2150pF @ 12V |
功率 - 最大值 | 62.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
供應(yīng)商器件封裝 | LFPAK,Power-SO8 |
其它名稱 | 934060924115 PH5525L T/R PH5525L T/R-ND |