型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
PH3075L,115 [更多] | NXP Semiconductors | MOSFET TRENCH-3
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | PH3075L |
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產(chǎn)品相片 | 568-LFPAK-4,SOT669 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | TrenchMOS™ |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 75V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 30A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 28 毫歐 @ 15A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.3V @ 1mA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 19nC @ 5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 2070pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 75W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
供應(yīng)商器件封裝 | LFPAK,Power-SO8 |
其它名稱 | 934058853115 PH3075L T/R PH3075L T/R-ND |