數(shù)據(jù)列表 | PEMD9,PUMD9 |
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產品相片 | SOT666 |
標準包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | 1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙) |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 100mA |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 50V |
電阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω) | 47k |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 5mA,5V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | 1µA |
頻率 - 躍遷 | - |
功率 - 最大值 | 300mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT-563,SOT-666 |
供應商器件封裝 | SOT-666 |
其它名稱 | 934056706115 PEMD9 T/R PEMD9 T/R-ND |