PDTA123EMB,315,PDTA123EMB,315|NXP Semiconductors代理分銷-PDTA123EMB315原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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| PDTA123EMB,315 [更多] | Nexperia | TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| PDTA123EMB,315 [更多] | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin DFN T/R - Tape and Reel (Alt: PDTA123EMB,315) RoHS: Compliant | 搜索 |
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 | Nexperia USA Inc. TRANS PREBIAS PNP 250MW 3DFN 详细描述：Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 250mW Surface Mount 3-DFN1006B (0.6x1) 型号：PDTA123EMB,315 仓库库存编号：PDTA123EMB,315-ND 别名：934065933315 | 无铅 | 搜索 |
PDF查詢| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 10,000 |
|---|---|
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| 晶體管類型 | PNP - 預(yù)偏壓 |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 100mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 50V |
| 電阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 2.2k |
| 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω) | 2.2k |
| 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 20mA，5V |
| 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 電流 - 集電極截止（最大值） | 1µA |
| 頻率 - 躍遷 | 180MHz |
| 功率 - 最大值 | 250mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 3-XDFN |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名稱 | 934065933315 |
