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PD57006TR,PD57006TR|STMicroelectronics代理分銷-PD57006TR原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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PD57006TR-E STMicroelectronics RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF0
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PD57006TR-E STMicroelectronics RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF0
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PD57006TR-E STMicroelectronics RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF0
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PD57006-E
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RF MOSFET Transistors RF POWER TRANS

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PD57006TR-E
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RF MOSFET Transistors POWER R.F.

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PD57006TR-E
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Trans MOSFET N-CH 65V 1A 4-Pin(2+2Tab) PowerSO-10RF (Formed lead) T/R (Alt: PD57006TR-E)

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PD57006TR-E
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Trans RF MOSFET N-CH 65V 1A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) T/R

RoHS: Compliant

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PD57006TR
制造商型號(hào)： PD57006TR
制造商： STMicroelectronics
描述： 射頻MOSFET電源晶體管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài)： 實(shí)時(shí)庫存查詢  所在地：深圳原厂原裝現(xiàn)貨
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產(chǎn)品信息
制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:射頻MOSFET電源晶體管
RoHS:否
配置:Single
晶體管極性:N-Channel
頻率:1 GHz
增益:15 dB at 945 MHz
輸出功率:6 W
汲極/源極擊穿電壓:65 V
漏極連續(xù)電流:1 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
最大工作溫度:+ 150 C
封裝 / 箱體:PowerSO-10RF (Formed Lead)
封裝:Reel
最小工作溫度:- 65 C
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
功率耗散:20 W
工廠包裝數(shù)量:600

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