數(shù)據(jù)列表 | PBSS4160PANP |
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產(chǎn)品相片 | SOT1118 |
特色產(chǎn)品 | Double Transistors in DFN2020-6 Packages |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | NPN,PNP |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 1A |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 60V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 120mV @ 50mA,500mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 500mA,2V |
功率 - 最大值 | 510mW |
頻率 - 躍遷 | 175MHz |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-UDFN 裸露焊盤 |
供應商器件封裝 | 6-HUSON(2X2) |
其它名稱 | 568-10200-2 934066888115 PBSS4160PANP |