PBLS1503Y,115,PBLS1503Y,115|NXP Semiconductors代理分銷-PBLS1503Y115原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | PBLS1503Y T/R |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT-363 PKG |
| 特色產(chǎn)品 | NXP - I2C Interface |
| PCN Design/Specification | Resin Hardener 02/Jul/2013 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列﹐預(yù)偏壓式 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| 晶體管類型 | 1 NPN 預(yù)偏壓式，1 PNP |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 100mA，500mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 50V，15V |
| 電阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
| 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω) | 10k |
| 不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 5mA，5V / 150 @ 100mA. 2V |
| 不同?Ib、Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA / 250mV @ 50mA，500mA |
| 電流 - 集電極截止（最大值） | 1µA，100nA |
| 頻率 - 躍遷 | 280MHz |
| 功率 - 最大值 | 300mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 6-TSSOP |
| 其它名稱 | 568-7222-2 934058054115 PBLS1503Y T/R PBLS1503Y T/R-ND PBLS1503Y,115-ND |
