數(shù)據(jù)列表 | NTD/NVD4815N |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 6.9A (Ta), 35A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 15 毫歐 @ 30A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 6.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 770pF @ 12V |
功率 - 最大值 | 1.26W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-4, DPak(3 引線 + 接片) |
供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |