NTR1P02T1G,NTR1P02T1G|ON Semiconductor代理分銷-NTR1P02T1G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | NTR1P02T1 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT-23-3 |
| 產(chǎn)品變化通告 | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 1A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 180 毫歐 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 2.5nC @ 5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 165pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 400mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應商器件封裝 | SOT-23-3（TO-236） |
| 產(chǎn)品目錄頁面 | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | NTR1P02T1GOSTR |
