NTMSD3P102R2SG,NTMSD3P102R2SG|ON Semiconductor代理分銷-NTMSD3P102R2SG原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | NTMSD3P102R2 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
| 產(chǎn)品變化通告 | Wire Change 12/May/2009 |
| 標準包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | FETKY™ |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 二極管（隔離式） |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 2.34A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 85 毫歐 @ 3.05A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 730mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商器件封裝 | 8-SOIC N |
