數(shù)據(jù)列表 | NTMD6N04R2 |
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產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
PCN Obsolescence | Multiple Devices Update 28/Jun/2011 |
PCN Design/Specification | Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類(lèi)型 | 2 個(gè) N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
漏源極電壓 (Vdss) | 40V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 4.6A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 34 毫歐 @ 5.8A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 900pF @ 32V |
功率 - 最大值 | 1.29W |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC N |
其它名稱(chēng) | NTMD6N04R2G-ND NTMD6N04R2GOSTR |