NTMD6N02R2,NTMD6N02R2|ON Semiconductor代理分銷-NTMD6N02R2原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET NFET 20V 0.035R TR RoHS: Compliant | 搜索 |
| NTMD6N02R2 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 20V 6A N-Channel RoHS: Not compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: NTMD6N02R2G) RoHS: Compliant | 搜索 |
| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R - Tape and Reel (Alt: NTMD6N02R2G) RoHS: Compliant | 搜索 |
| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R (Alt: NTMD6N02R2G) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | Dual N-Channel 20 V 35 mOhm 2 W Surface Mount Power MOSFET - SOIC-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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| NTMD6N02R2G [更多] | ON Semiconductor | NTMD6N02R2G Dual N-channel MOSFET Transistor, 6.5 A, 20 V, 8-Pin SOIC RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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| NTMD6N02R2 [更多] | ON Semiconductor | MOSFET Transistor, Matched Pair, N-Channel, SO
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PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | NTMD6N02R2 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
| 產(chǎn)品變化通告 | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 3.92A |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 35 毫歐 @ 6A，4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1100pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 730mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 8-SOIC N |
| 其它名稱 | NTMD6N02R2OS |
