數據列表 | NTJS3157N |
---|---|
產品相片 | SOT-363 PKG |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 3.2A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 60 毫歐 @ 4A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 400mV @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 500pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應商器件封裝 | SOT-363 |
其它名稱 | NTJS3157NT1G-ND NTJS3157NT1GOSTR |