型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
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NTJD4401NT4G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET 20V Dual N-Channel ESD Protection RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | NTJD4401N |
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產(chǎn)品相片 | SOT-363 PKG |
標準包裝 | 10,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 630mA |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 375 毫歐 @ 630mA,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 3nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 46pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 270mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應商器件封裝 | SOT-363 |