典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 24 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 9.2 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 20 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 620 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 6.22mm | |
封裝類型 | DPAK | |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.38mm | |
引腳數(shù)目 | 4 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 71 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 100 V | |
最大漏源電阻值 | 81 mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 17 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 雙漏極、單 | |
長度 | 6.73mm | |
高度 | 2.38mm |