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NTD6416ANLT4,NTD6416ANLT4|ON Semiconductor代理分銷-NTD6416ANLT4原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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MOSFET N-CH 100V 19A DPAK

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MOSFET NFET DPAK 100V 17A 106MO

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Trans MOSFET N-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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MOSFET,N CH,W DIODE,100V,19A,DPAK

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MOSFET,N CH,W DIODE,100V,19A,DPAK

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N-Channel 100 V 74 mOhm 71 W Surface Mount Power MOSFET -TO-252-3

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NTD6416ANLT4G N-channel MOSFET Transistor, 19 A, 100 V, 3-Pin DPAK

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19 A, 100 V, 0.074 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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19 A, 100 V, 0.074 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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NTD6416ANLT4
制造商型號： NTD6416ANLT4
制造商： ON Semiconductor
描述： MOSFET，N溝道，100V，19A，邏輯，DPAK
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
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訂購熱線： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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產(chǎn)品信息
典型關(guān)斷延遲時間35 ns
典型接通延遲時間7 ns
典型柵極電荷@Vgs25 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds700 pF V @ 25
安裝類型表面貼裝
寬度6.22mm
封裝類型DPAK
尺寸6.73 x 6.22 x 2.38mm
引腳數(shù)目4
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散71 W
最大柵源電壓±20 V
最大漏源電壓100 V
最大漏源電阻值80 mΩ
最大連續(xù)漏極電流19 A
最高工作溫度+175 °C
每片芯片元件數(shù)目1
類別功率 MOSFET
通道模式增強(qiáng)
通道類型N
配置雙漏極、單
長度6.73mm
高度2.38mm

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