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NTD6416AN-1G [更多] | ON Semiconductor | MOSFET NFET IPAK 100V 15A 86MOHM RoHS: Compliant | 搜索 |
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NTD6416AN-1G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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NTD6416AN-1G [更多] | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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NTD6416AN-1G [更多] | ON Semiconductor |
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 24 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 9.2 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 20 nC V @ 10 | |
典型輸入電容值@Vds | 620 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 通孔 | |
寬度 | 2.38mm | |
封裝類型 | IPAK | |
尺寸 | 6.73 x 2.38 x 7.62mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 71 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 100 V | |
最大漏源電阻值 | 81 mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 17 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 雙漏極、單 | |
長(zhǎng)度 | 6.73mm | |
高度 | 7.62mm |