數(shù)據(jù)列表 | NTD60N02R |
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產品相片 | TO-263 |
產品變化通告 | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 8.5A (Ta), 32A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 10.5 毫歐 @ 20A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 14nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1330pF @ 20V |
功率 - 最大值 | 1.25W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應商器件封裝 | D-Pak |
其它名稱 | NTD60N02RT4GOS NTD60N02RT4GOS-ND NTD60N02RT4GOSTR |