數(shù)據(jù)列表 | NTD4970N |
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標準包裝 | 75 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 散裝 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 8.5A (Ta), 36A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 11 毫歐 @ 30A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 8.2nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 774pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.38W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-251-3 短截引線,IPak |
供應(yīng)商器件封裝 | I-Pak |