NTD4809NA-1G,NTD4809NA-1G|ON Semiconductor代理分銷-NTD4809NA1G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | NTD4809NA |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | DPAK_369D?01 |
| 產(chǎn)品變化通告 | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 75 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 9.6A （Ta）， 58A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 9 毫歐 @ 30A，10V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1456pF @ 12V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商器件封裝 | I-Pak |
