數(shù)據(jù)列表 | NST847BDP6T5G |
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產(chǎn)品相片 | SOT-963_527AD |
產(chǎn)品變化通告 | Wire Bond Change 01/Dec/2010 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 8,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | 2 NPN(雙) |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 100mA |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 45V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 350mW |
頻率 - 躍遷 | 100MHz |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT-963 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-963 |
其它名稱 | NST847BDP6T5G-ND NST847BDP6T5GOSTR |