數(shù)據(jù)列表 | NSB1706DMW5T1 |
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產(chǎn)品相片 | SOT25 |
產(chǎn)品變化通告 | Wire Change 08/Jun/2009 |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列﹐預偏壓式 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | 2 個 NPN 預偏壓式(雙) |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 100mA |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 50V |
電阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 4.7k |
電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω) | 47k |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | 500nA |
頻率 - 躍遷 | - |
功率 - 最大值 | 250mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP(5 引線),SC-88A,SOT-353 |
供應商器件封裝 | SC-70 |
其它名稱 | NSB1706DMW5T1GOS NSB1706DMW5T1GOS-ND NSB1706DMW5T1GOSTR |