NJX1675PDR2G,NJX1675PDR2G|ON Semiconductor代理分銷-NJX1675PDR2G原裝現貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | NJX1675PDR2G |
|---|---|
| 產品相片 | 8-SOIC |
| 標準包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| 晶體管類型 | NPN，PNP |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 3A |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 30V |
| 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值） | 115mV @ 200mA，2A，170mV @ 200mA，2A |
| 電流 - 集電極截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值） | 180 @ 1A，2V |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 頻率 - 躍遷 | 100MHz，120MHz |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應商器件封裝 | 8-SOIC N |
