數(shù)據(jù)列表 | NGD8201N |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT - 單路 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
IGBT 類型 | - |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 440V |
不同?Vge、Ic 時的?Vce(on) | 1.9V @ 4.5V,20A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 20A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
功率 - 最大值 | 125W |
Switching Energy | - |
輸入類型 | 邏輯 |
Gate Charge | - |
Td (on/off) A 25°C | -/5µs |
Test Condition | 300V,9A,1 千歐,5V |
反向恢復(fù)時間 (trr) | - |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
供應(yīng)商器件封裝 | DPAK-3 |
其它名稱 | NGD8201NT4G-ND NGD8201NT4GOSTR |