型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
NGB8207BNT4G 库存编号:NGB8207BNT4GOSTR-ND | Littelfuse Inc | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 | 0 800起订 | 800+ 1600+ 2400+ | ¥8.08 ¥7.52 ¥7.3 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
NGB8207BNT4G 库存编号:NGB8207BNT4GOSDKR-ND | Littelfuse Inc | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 | 0 1起订 | 1+ | ¥21.8 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
NGB8207BNT4G 库存编号:NGB8207BNT4GOSCT-ND | Littelfuse Inc | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 | 0 1起订 | 1+ | ¥21.8 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
NGB8207BNT4G 库存编号:2156-NGB8207BNT4G-OS-ND | Rochester Electronics LLC | IGBT 365V 20A D2PAK | 0 444起订 | 444+ | ¥8.48 | 6-10天 | 询价 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NGB8207BNT4G [更多] | Littelfuse Inc | IGBT 365V 20A 165W D2PAK3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NGB8207BNT4G [更多] | Littelfuse Inc | IGBT Transistors 365V 20A IGBT RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NGB8207BNT4G [更多] | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 365V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Cut TR (SOS) (Alt: NGB8207BNT4G/BKN) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NGB8207BNT4G [更多] | Littelfuse Inc | IGBT, IGNITION, N-CH, 365V, 20A, D2PAK
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NGB8207BNT4G [更多] | ON Semiconductor | NGB8207BNT4G, IGBT Transistor, 50 A 365V, 4-Pin D2PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NGB8207BNT4G [更多] | Littelfuse Inc | IGBT Transistors 365V 20A IGBT RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
NGB8207BNT4G [更多] | ON Semiconductor |
| 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | NGB8207BN(BN) |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 800 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT - 單路 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
IGBT 類型 | - |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 365V |
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on) | 1.8V @ 4.5V,10A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 20A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
功率 - 最大值 | 165W |
Switching Energy | - |
輸入類型 | 邏輯 |
Gate Charge | - |
Td (on/off) A 25°C | - |
Test Condition | - |
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) | - |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
安裝類型 | 表面貼裝 |
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |
其它名稱 | NGB8207BNT4GOSTR |