NGB8206N,NGB8206N|ON Semiconductor代理分銷-NGB8206N原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | NGB8206N |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-263 |
| 產(chǎn)品變化通告 | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 標準包裝 | 50 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | IGBT - 單路 |
| 系列 | - |
| 包裝 | 管件 |
| IGBT 類型 | - |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 390V |
| 不同?Vge、Ic 時的?Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 20A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| Switching Energy | - |
| 輸入類型 | 邏輯 |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) A 25°C | -/5µs |
| Test Condition | 300V，9A，1 千歐，5V |
| 反向恢復時間 (trr) | - |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 供應商器件封裝 | D2PAK |
