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NE685M13-A [更多] | California Eastern Laboratories (CEL) | RF Bipolar Transistors NPN Lo Noise Hi Gain RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | NE685M13 |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | RF 晶體管 (BJT) |
系列 | - |
包裝 | 散裝 |
晶體管類(lèi)型 | NPN |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 6V |
頻率 - 躍遷 | 12GHz |
噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
增益 | - |
功率 - 最大值 | 140mW |
不同?Ic、Vce?時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 75 @ 10mA,3V |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 30mA |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SOT-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | M13 |