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NE3516S02-A [更多] | California Eastern Laboratories (CEL) | CEL Super Low Noise Pseudomorphic HJ FET, RoHS compliant
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | NE3516S02 |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | RF FET |
系列 | - |
包裝 | 散裝 |
晶體管類型 | N 溝道 GaAs HJ-FET |
頻率 | 12GHz |
增益 | 14dB |
電壓 - 測(cè)試 | 2V |
額定電流 | 60mA |
噪聲系數(shù) | 0.50dB |
電流 - 測(cè)試 | 10mA |
功率 - 輸出 | 165mW |
電壓 - 額定 | 4V |
封裝/外殼 | 4-SMD,扁平引線 |
供應(yīng)商器件封裝 | S02 |